ጭንቅላትዎን በኮምፒውቲንግ ቴክኖሎጂ ቁልፍ አካል ላይ መጠቅለል ከፈለጉ - ከዘመናዊ ስማርት ፎኖች እስከ ከፍተኛ ደረጃ ዴስክቶፕ ፒሲዎች - የFinFET ቴክኖሎጂን መረዳት አለቦት።
FinFET ምንድን ነው?
FinFET እንደ ሳምሰንግ፣ TSMC፣ ኢንቴል እና ግሎባል ፋውንድሪስ ያሉ ቺፕ አምራቾች ያነሱ እና የበለጠ ኃይለኛ የኤሌክትሪክ ክፍሎችን እንዲያዳብሩ ያስቻለ የቴክኖሎጂ ፈጠራ ነው።
ይህ የዘመናዊ ቺፕ ዲዛይን አስፈላጊ አካል ስለሆነ እነሱ በተመሰረቱት የሂደት አንጓዎች ግብይት ውስጥ ጥቅም ላይ ይውላል። አንድ ምሳሌ የ 7-nanometer (nm) FinFET ሂደት ቴክኖሎጂ በ AMD የሶስተኛ-ትውልድ Ryzen ሲፒዩዎች እምብርት ነው። በቅርብ አመታት ኒቪዲ የ TSMC 16nm FinFET ቴክኖሎጂን እና የሳምሰንግ 14nm FinFET ቴክኖሎጂን በ10 ተከታታይ ግራፊክስ ካርዶች በፓስካል አርክቴክቸር ላይ ተጠቅሟል።
የ FinFET ቴክኖሎጂ ቴክኒካል ብልሽት
በቴክኒክ ደረጃ፣ ፊንፊኢቲ፣ ወይም የፊን መስክ-ተፅዕኖ ትራንዚስተር፣ የተለየ የብረት-ኦክሳይድ ሴሚኮንዳክተር ትራንዚስተር (MOSFET) ነው። ከተለምዷዊ ዲዛይኖች የበለጠ ፈጣን አሠራር እና የበለጠ የአሁኑ ጥንካሬን የሚያስችል ድርብ ወይም ባለሶስት-በር መዋቅር አለው። ይህ ደግሞ ዝቅተኛ የቮልቴጅ መስፈርቶችን ያስከትላል፣ የፊንፊኤቲ ዲዛይን እጅግ የበለጠ ኃይል ቆጣቢ ያደርገዋል።
የመጀመሪያው የፊንፊኢቲ ትራንዚስተር ዲዛይን በ1990ዎቹ በDepleted Lean-channel ትራንዚስተር ወይም DELTA ትራንዚስተር ስም የተሰራ ቢሆንም ፊንፌት የሚለው ቃል የተፈጠረለት እስከ 2000ዎቹ መጀመሪያ ድረስ አልነበረም። የምስጢር ምህፃረ ቃል ነው፣ ግን የስሙ "ፊን" ክፍል የተጠቆመው የ MOSFET ምንጭ እና ፍሳሽ ክልሎች በተሰራው የሲሊኮን ወለል ላይ ፊንፊን ስለሚፈጥሩ ነው።
FinFET የንግድ አጠቃቀም
የፊንFET ቴክኖሎጂ የመጀመሪያው የንግድ አጠቃቀም በ25nm ናኖሜትር ትራንዚስተር በTSMC በ2002 ነበር።በ2011 በ22nm አይቪ ብሪጅ ማይክሮ አርክቴክቸር የተዋወቀውን የኢንቴል ትራይ ጌት ልዩነትን ጨምሮ በቀጣይ አመታት በዚህ ሀሳብ ላይ ተጨማሪ ድግግሞሾች ሲመጡ "የኦሜጋ ፊንፌቲ" ዲዛይን በመባል ይታወቅ ነበር።
AMD በተመሳሳይ ቴክኖሎጂ ላይ በ2000ዎቹ መጀመሪያ ላይ እየሰራሁ ነው ሲል ተናግሯል፣ ምንም እንኳን ምንም እንኳን በእውነቱ ምንም የተገኘ ነገር የለም። እ.ኤ.አ. በ2009 ዓ.ም AMD ከግሎባል ፋውንድሪስ ከይዞታው ሲወጣ የንግዱ ምርት እና ፈጠራ መሳሪያዎች እስከመጨረሻው ተቋርጠዋል።
ከ2014 ጀምሮ ሁሉም ዋና ዋና ቺፕ አምራቾች -GlobalFoundries በ16nm እና 14nm ቴክኖሎጂ ላይ የተመሰረተ የFiNFET ቴክኖሎጂን መጠቀም ጀምረዋል፣በመጨረሻም የኖድ መጠኑን ወደ 7nm በአዳዲስ ድግግሞሾች አሳንስ።
በ2019፣ ተጨማሪ የቴክኖሎጂ እድገቶች የFinFET በሮች ርዝማኔ እንዲቀንስ አስችለዋል፣ ይህም ወደ 7nm ያመራል። በሚቀጥሉት ሁለት ዓመታት ውስጥ፣ ለበለጠ ኃይለኛ እና ቀልጣፋ ሲፒዩዎች፣ ግራፊክስ ካርዶች እና ሲስተም በ Chip (SoCs) የ5nm ሂደት ቴክኖሎጂን ማየት እንችላለን።ነገር ግን እነዚህ የመስቀለኛ መንገዶች መጠኖች በአብዛኛዎቹ ጉዳዮች ግምታዊ ናቸው እና ሁልጊዜ ከ TSMC እና ሳምሰንግ የቅርብ ጊዜው 7nm ቴክኖሎጂ ጋር በቀጥታ የሚወዳደሩ አይደሉም፣ይህም ከኢንቴል 10nm ሂደት ጋር በግምት ሊወዳደር ይችላል ተብሏል።
