Samsung የኢንደስትሪውን ትንሹን DDR5 DRAM በጅምላ እያመረተ መሆኑን ኩባንያው ማክሰኞ አስታወቀ።
አዲሱ 14nm EUV DDR5 DRAM 14 ናኖሜትሮች ብቻ ሲሆን አምስት የጽንፈኛ አልትራቫዮሌት (EUV) ቴክኖሎጂን ይጫወታሉ። በሰከንድ እስከ 7.2 ጊጋቢት ፍጥነት ሊደርስ ይችላል ይህም ከ DDR4 ፍጥነት በእጥፍ ይበልጣል። ሳምሰንግ አዲሱ የኢዩቪ ቴክኖሎጅ ለDDR5 DRAM ከፍተኛውን የቢት ጥግግት ይሰጠዋል ሲል፣ ምርታማነትን በ20% በመጨመር እና የኃይል ፍጆታን በ20% ይቀንሳል ብሏል።
DRAM በመጠን መጠኑ እየቀነሰ በመምጣቱ EUV ከጊዜ ወደ ጊዜ አስፈላጊ እየሆነ መጥቷል። ለከፍተኛ አፈጻጸም እና ከፍተኛ ምርት የሚያስፈልገው የስርዓተ-ጥለት ትክክለኛነትን ለማሻሻል ይረዳል ሲል ሳምሰንግ ተናግሯል።የ 14nm DDR5 DRAM እጅግ በጣም አነስተኛ የሆነ የአርጎን ፍሎራይድ (አርኤፍ) የአመራረት ዘዴን ከመጠቀም በፊት የሚቻል አልነበረም፣ እና ኩባንያው አዲሱ ቴክኖሎጂ እንደ 5G እና አርቲፊሻል ኢንተለጀንስ ባሉ መስኮች የላቀ አፈፃፀም እና አቅምን አስፈላጊነት ለመፍታት እንደሚያግዝ ተስፋ ያደርጋል።
በቀጣይ፣ ሳምሰንግ የአለምአቀፍ የአይቲ ሲስተሞችን ፍላጎት ለማሟላት የሚረዳ 24Gb 14nm DRAM ቺፕ መፍጠር እንደሚፈልግ ተናግሯል። እንዲሁም የውሂብ ማዕከሎችን፣ ሱፐር ኮምፒውተሮችን እና የድርጅት አገልጋይ መተግበሪያዎችን ለመደገፍ የ14nm DDR5 ፖርትፎሊዮውን ለማስፋት አቅዷል።
